La R&T BiCMOS est un projet IN2P3 transverse couplé à un work package technologie alternative WP1.1 de la MI2I. Dans sa forme actuelle, elle a vocation à comparer les technologies BiCMOS actuellement disponibles.
En effet, les performances en bruit et en efficacité de gain étant très élevées sur les technologies bipolaires, la R&T se donne pour objectif d'établir et de comparer des facteurs de mérites (tels que gm/Ic, gmRout, gmfroutT, √Si_C ...).
Les futures expériences de l'IN2P3 ont un fort besoin en analogique front-end. Le design des ASIC évoluent vers toujours plus de numérique justifiant le recours à des techno-fine full CMOS. Afin de garder des technologies a même de répondre à des performances analogiques couplées à un détecteur spécifique, il est important de garder au moins une technologie mature BiCMOS et généraliste. En effet, nombre de détecteurs de physique nucléaire appliquée au médical ont davantage besoin de dynamique que de densité d'intégration. Les instruments d'astronomies ont besoin de lectures bas bruit jusqu'aux très basses fréquences, ce qui n'est pas compatible avec les remontées de bruit basses fréquences des transistors MOS.
Technologies d'interêt
- TSMC 130
- AMS 350
- IHP 130 SG13S – R&T
- IHP 250
- TSI 180
- ON SEMI 350
- ST 9MW SiGe 130nm - APC
- XFAB 180nm CMOS ou SOI – R&T
Objectifs
- Identifier une technologie « pérenne » et abordable permettant de répondre à un large champ de besoin en électronique analogique (et un peu mixte) frontale, à nombre de voies modérées.
- Susciter une synergie autour de ce nœud technologique.
- Rationnaliser les développements ASICs dans les domaines du spatial, de l’astro, du nucléaire et du médical.
